기초전자공학 test(실험) - 테브난의 요약(Thevenin`s theorem)
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작성일 20-07-18 21:03
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기초전자공학 test(실험) - 테브난의 요약(Thevenin`s theorem)
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기초전자공학 test(실험) - 테브난의 요약(Thevenin`s theorem)
1.experiment(실험)title proper(제목)
- 테브난의 정리(arrangement)(Thevenin`s theorem)
2.experiment(실험)goal(목표)
- 복잡한 회로 해석에 유용한 테브난 정리(arrangement)의 적용 방법과 등가 회로를 구하는 방법에 관하여
익힌다.
- 테브난 정리(arrangement)를 experiment(실험)을 통하여 증명 하고 이해한다
3.experiment(실험)재료
- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 저항 470Ω,1㏀, 3.3㏀,
4.experiment(실험)과정 및 결과
1) 그림 4의 회로에서 사용되는 저항을 측정(測定) 하고, 회로를 구성하라.
2) 표 1의 각 부하 저항에 대해 과 을 측정(測定) 한 후, 그 결과를 표 1에 기록하라.
3) 두 단자 A와 B 사이의 부하 저항을 제거하여 두 단자 사이에 인가되는 테브난 등가전압 를 측정(測定) 하고, 입력 전원을 단락시킨 다음 두 단자 사이에 나타나는 테브난 등가저항 를 측정(測定) 하여 표 1에 기록하라.
4) 표 1의 각 부하 저항에 대해 3)에서 측정(測定) 된 등가전압과 등가저항을 사용하여 테브난 등가회로를 결선한 후, 과 을 측정(測定) 하여 그 결과를 표 1에 기록하라
5) 그림 5의 브릿지 회로를 구성하라.
6) 그림 5의 회로에 대해 3)을 반복하고 등가전압 와 등가저항 의 측정(測定) 치를 표 2에 기록하라.
7) 그림 5의 회로에 대해 4)를 반복하고 그 결과를 표 2에 기록하라.
8) 각 experiment(실험)에 대해 theory(이론)적인 계산 결과와 experiment(실험) 결과를 비교analysis(분석) 하라.
표 1 테브난의 정리(arrangement)를 위한 experiment(실험)
부하저항 (RL)
원 회로
테브난 등가회로
VL(V)
IL(mA)
VL(V)
IL(mA)
theory(이론)값
측정(測定) 값
오차(%)
theory(이론)값
측정(測定) 값
오차(%)
theory(이론)값
측정(測定) 값
오차(%)
theory(이론)값
측정(測定) 값
오차(%)
470Ω
0.621
0.625
0.6
1.322
1.274
3.7
0.621
0.625
0.6
1.322
1.268
4.3
1kΩ
0.844
0.850
0.7
0.845
0.807
4.5
0.844
0.848
0.4
0.845
0.809
4.2
3.3kΩ
…(생략(省略))
순서
설명
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실험결과/기타
다.
